Mosfet или igbt в инверторах что лучше
Перейти к содержимому

Mosfet или igbt в инверторах что лучше

  • автор:

Купить сварочный инвертор — какой лучше MOSFET или IGBT?

Купить сварочный инвертор - какой лучше MOSFET или IGBT?

Инверторные сварочные аппараты имеют большое количество преимуществ и очень популярны последние годы. Если вы решили купить сварочный инвертор, то следует знать, что они могут быть реализованы на технологии MOSFET или IGBT. Каждая технология имеет свои преимущества и из-за этого многим покупателям бывает сложно выбрать модель, которая оптимально подойдёт для их потребностей.

Инверторы MOSFET – изготовлены на полевых транзисторах, эта технология применяется уже десятилетия и хорошо отточена. Главным минусом этой системы является больший вес и габариты аппарата (превышает сварочные аппараты на IGBT на 25%). Это объясняется тем, что в такой технологии используется в два раза больше транзисторов и более массивная система охлаждения.

Инверторы IGBT – изготавливаются на биполярных транзисторах, технология изготовления таких инверторов отработана относительно недавно. Минусом этой системы является чувствительность к перегрузкам и нестабильному напряжению в сети. Габариты и вес таких аппаратов меньше чем у инверторов MOSFET, поскольку в выходном каскаде используется меньшее количество элементов и устанавливается меньший радиатор. Считается, что сварочные аппараты, реализованные на этой технологии, имеют большую надежность и потребляют меньшее количество электроэнергии. Следует заметить, что ремонт таких аппаратов сложен и обойдется дороже. Биполярные транзисторы имеют более высокий верхний порог рабочих температур (90 градусов против 60 у полевых транзисторов), что позволяет работать инверторами IGBT более длительное время.

Так что же лучше инверторы на MOSFET и IGBT?

Главным преимуществом инверторных сварочных аппаратов на полевых транзисторах (MOSFET) является отработанная десятилетиями технология производства, но все современные производители сворачивают производство инверторов на MOSFET, поскольку сварочные аппараты на IGBT более перспективны. Малый вес и компактные габариты IGBT позволяют использовать их на сложных площадках и на высоте. На сегодняшний день инверторные сварочные аппараты на биполярных и полевых транзисторах имеют приблизительно одинаковую цену, но технология IGBT более перспективна и в будущем, скорее всего, полностью вытеснит аппараты, созданные на MOSFET.

В нашем интернет-магазине Вы всегда можете проконсультироваться по всем вопросам и подобрать оптимальную модель аппарата для ваших потребностей, для этого просто нужно позвонить по любому телефону указанному на сайте.

MOSFET или IGBT?

Сначала рассмотрим различия в целом. В настоящий момент все производители инверторов (ММА) выпускаются по двум полупроводниковым технологиям IGBT и MOSFET. Не буду вдаваться в подробности, скажу только то, что в схемотехнике этих аппаратов используются разные полупроводниковые транзисторы IGBT и MOSFET. Основое различие между этими транзисторами — различный ток коммутации. Большим током обладают транзисторы IGBT.

Для изготовления стандартного инвертора понадобится 2–4 IGBT транзистора (в зависимости от рабочего цикла), a MOSFET — 10–12, т. к. они не могут пропускать через себя большие токи, поэтому их приходится делить на такое большое количество транзисторов. Вот собственно в чем и отличие.

Тонкость в том, что транзисторы очень сильно греются и их необходимо установить на мощные алюминиевые радиаторы. Чем больше радиатор, тем больше съем тепла с него, а, следовательно, его охлаждающая способность. Чем больше транзисторов, тем больше радиаторов охлаждения необходимо установить, следовательно, увеличиваются габариты, вес и т. д. MOSFET здесь однозначно проигрывает.

На практике схемотехника MOSFET не позволяет создать аппарат на одной плате: т.е аппараты, которые сейчас есть в продаже, собраны в основном на трех платах. IGBT аппараты всегда идут на одной плате.

Основные недостатки MOSFET

  • соединение трех плат;
  • худший теплообмен;
  • каскадный выход транзисторов из строя при неисправности одного транзистора;
  • меньший КПД (относительно IGBT).

Проще говоря, IGBT более современная технология, чем MOSFET.

Недостатки MOSFET

Что лучше MOSFET или IGBT?

Некоторые компании идут в ногу со временем и при производстве сварочных инверторов используют IGBT транзисторы американской фирмы «Fairchaild», частота переключения которых составляет 50 кГц, т. е. 50000 раз в секунду. IGBT технологию выбрали неспроста, ведь рабочий диапазон температур у них с сохранением параметров гораздо больше, чем у MOSFET, т. е. при нагреве у MOSFETa падают качественные характеристики.

В конструкции САИ (Ресанта) используется одна маленькая плата, которая устанавливается вертикально, а также 4 IGBT транзистора (работают обособленно друг от друга, т. е. не выгорают все, если выгорел один как у MOSFET) и 6 диодов-выпрямителей (а не 12 как у MOSFET), соответственно отказоустойчивость ниже. Это ещё один «плюс» IGBT.

Можно напомнить покупателю о том, что в современных сварочных инверторов используется только 4 обособленных транзистора, а не 12 каскаднозависимых как у MOSFET. Всякое в жизни бывает, но, чтобы не произошло в случае выхода из строя одного транзистора (если не гарантийный случай), замена покупателю обойдется где-то в районе 400 р., а не 12×110 р. = 1320 р. Думаю, что разница приличная.

Как отличить: Визуально аппараты IGBT в большинстве своём отличаются от MOSFET вертикальным расположением силовых разъёмов, т. к. плата одна и обычно устанавливается вертикально. У MOSFET аппаратов выходы обычно расположены горизонтально, т. к. платы в конструкции горизонтально закреплены. Нельзя точно утверждать, что это верно на 100%. Точнее можно сказать, сняв кожух с аппарата.

Многие компании пытаются «выиграть баллы» на транзисторах. Так, например, компания «Aiken» в настоящий момент выпустила на рынок аппараты (по технологии MOSFET) с наклейками на боковых панелях «Используются транзисторы TOSHIBA» а также «Используются транзисторы Mitsubishi». Пытаются выползти на громких и знакомых брендах. На практике это не подтвердилось. Так на крупнейшей Международной инструментальной выставке России Moscow International Tool Expo (MITEX-2011), которая проходила в ноябре 2011г. в «Экспоцентре» (г. Москва), я попросил представителей стенда данной компании разобрать их САИ с наклейкой «Используются транзисторы Mitsubishi» и продемонстрировать данные транзисторы. В итоге сварочные инверторы разобрали, но данных транзисторов не обнаружили. Сами сотрудники компании «Aiken» были в шоке, обнаружив безымянные транзисторы.

IGBT или MOSFET. Ставим точку в вопросе

На сегодняшний день все производители сварочных инверторов (MMA) производятся по двум основным полупроводниковым технологиям: MOSFET и IGBT. Первые это полевые транзисторы, как правило каскадированные, вторые — биполярные с изолированным затвором.

Инверторы, выполненные по технологии IGBT, имеют меньшие размеры и вес, связанно это с тем, что схемотехника MOSFET не позволяет создать аппарат на одной плате. Преобладающее большинство таких аппаратов собраны на трех платах, тогда как в IGBT на одной.

Главный вопрос: каким лучше варить забор?

Вопрос специально утрирован до уровня рядового пользователя, чтобы поставить точку в вопросе без лишней матчасти.

Ответ: на уровне сварочного инвертора разницы нет никакой.

Преимущества технологии IGBT начинаются на таких токах, где используются трехфазовые аппараты, и потому, если вам нужно сварить забор, то сосредоточитесь лучше на других вопросах выбора.

Демократичные цены

Разумная ценовая политика, гибкая система скидок, интересные акции

Удобная оплата

Наличные, банковские карты, карты рассрочки, работаем с юр. лицами

Защита покупателя

Оригинальный товар, возможность возврата, сервисная поддержка, чек

Доставка по Беларуси

Осуществляем доставку заказов в любую точку Беларуси 6 дней в неделю

Контакты
  • +375 29 575 12 21 (МТС)
  • +375 44 593 12 21 (A1)
  • +375 25 525 12 21 (Life)
  • info@voltra.by (Эл. почта)
Покупателям
Полезная информация
  • Защита покупателя
  • Заявление по качеству товара
  • Как оформить заказ
  • Подарочный сертификат
  • Статьи по выбору
  • Адреса сервисных центров
  • Производители
  • Политика конфиденциальности
Компания

Номер и адрес электронной почты лица, уполномоченного рассматривать обращения покупателей о нарушении их прав, предусмотренных законодательством о защите прав потребителей: +375 (29) 193-12-21, info@voltra.by. Номера уполномоченных рассматривать обращения покупателей в соответствии с законодательством об обращениях граждан и юридических лиц: Управление торговли и услуг Витебского горисполкома: тел. 43-68-22, каб. 210

УНП 391395821, ООО «Вольтра», Беларусь, г. Витебск, ул. Б. Хмельницкого 30/1, офис 208. Дата включения в торговый реестр РБ: 30.01.2015. Регистрационный номер 246226. © 2010 — 2024 «Voltra.by» | Информация на сайте «Вольтра бай» предоставляется в ознакомительных целях и не является публичной офертой. Перед покупкой уточняйте комплектацию и необходимые функции товара.

Места нахождения книг замечаний и предложений: г. Минск, ул. Сырокомли 12, пом. 11Н, г. Витебск, ул. Б. Хмельницкого 30/1, офис 208

Какие транзисторы используются для сварочных инверторов?

Сравнительно новое, но уже успевшее зарекомендовать себя с лучшей стороны, поколение транзисторов MOSFET создали на базе хорошо известных полевых транзисторов с изолированным затвором. Подавляющее большинство современных инверторов собрано на схемах с MOSFET транзисторами.

На смену им пытается пробиться новое поколение сварочных инверторов, собранных на транзисторах типа IGBT. Ранее транзисторы такого типа назывались биполярными с изолированным затвором. Сейчас они изготавливаются по инновационной технологии и считаются новым прогрессивным поколением.

MOSFET или IGBT

Очень важной характеристикой транзистора является максимальный ток, который он может пропустить через себя. У транзисторов MOSFET токи меньше в три – четыре раза. Соответственно, на инвертор одной мощности потребуется большое количество таких транзисторов. К транзисторам автоматически подтягивается такое же количество радиаторов, что делает аппарат тяжелее и дороже.

Далее начинают сказываться особенности схемотехники, связанные с большим количеством транзисторов. Из-за этого инверторы на MOSFET изготавливаются на трех платах, в отличие от одной платы в инверторах, собранных на транзисторах IGBT. А это дополнительные «дорожки», дополнительные десятки точек пайки и разъемы, которые не удешевляют аппарат и не прибавляют ему надежности.

Есть еще одна особенность, которая не очевидна для рядового пользователя, но хорошо понятна тем, кто когда-либо ремонтировал такие аппараты. Суть в том, что транзисторы MOSFET собраны каскадом и при пробое одного, неизбежно, выходят из строя другие.

Единственное преимущество, которое можно отметить у аппаратов на MOSFET, это проверенная временем схемотехника. В некоторых случаях, это может перечеркнуть все преимущества конкурента.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *